La tecnologia HIT

HIT è una tecnologia brevettata Sanyo di produzione delle celle fotovoltaiche. HIT sta per “Heterojunction with Intrinsic Thin layer” ovvero “eterogiunzione con film sottile intrinseco”.

Struttura
Le celle HIT sono composte da uno strato di silicio monocristallino e da due strati strati ultra sottili di silicio amorfo. Tra wafer e silicio amorfo, da entrambi i lati, viene steso uno strato intrinseco i non drogato sempre di silicio amorfo.

 

  A differenza delle celle cristalline basate nella realizzazione di una giunzione p-n all’interno di un wafer di silicio cristallino, la giunzione p-n delle celle HIT non viene realizzata all’interno del wafer monocristallino. In particolare, il wafer è circondato da 2 strati sottili di silicio amorfo (a-Si). La giunzione p-n in questo caso viene realizzata tra il wafer di silicio di tipo n e lo strato di silicio amorfo di tipo p.

La tecnologia e i materiali di produzione delle celle HIT sono coperte da brevetto.

I vantaggi della tecnologia Sanyo HIT

I moduli Sanyo HIT uniscono i vantaggi della tecnologia del silicio amorfo alle efficienze della tecnologia del silicio monocristallino:

• Tensione della cella. La struttura a-Si c-Si a-Si aumenta la tensione di ogni cella. Una maggior tensione comporta una maggior efficienza.

• Efficienza straordinaria. Le celle HIT sono ad oggi le celle fotovoltaiche di silicio cristallino (> 100 m²) con l’ efficienza più alta mai raggiunta. Detengono l’attuale record mondiale di efficienza di conversione: 23%.

• Basso coefficiente di temperatura. Questo importantissimo parametro definisce il degrado delle prestazioni in funzione dell’innalzamento delle temperature d’esercizio. Nelle celle HIT vale 0,3%/°C. Un valore molto più basso dei tradizionali moduli in silicio mono e policristallino.

• Assorbimento della luce diffusa. Reso possibile dallo strato di silicio amorfo.

• Silicio di tipo “n”. Il Silicio di tipo “n” non presenta l’effetto light-soaking. Nei moduli cristallini tale effetto riduce l’efficienza di 1-4% nelle prime ore di esposizione solare.

• Elevata purezza del Silicio. Le celle HIT sono meno soggette alla degradazione delle prestazioni. Inoltre essendo gli strati di silicio amorfo molto sottili, l’effetto fotovoltaico avviene quasi per intero all’interno della parte cristallina della cella. Questo è il motivo per il quale la degradazione del materiale di silicio amorfo non subisce la perdita di efficienza tipica che occorre nei moduli in silicio amorfo.

fonte: http://www.sanyo-solar.eu